LCD TV의 여러 스위치 모드 전원 공급 장치에서 회로도를 읽는 동안 PWM 펄스를 MOSFET의 게이트에 전달하는 핀에는 다이오드와 저항이 병렬로 있음을 알았습니다.
일부 다이어그램에는 없습니다. 그러나 많은 것들이 있습니다. IC 컨트롤러의 드라이버를 보호하는 것 같습니다.
확실하지 않지만. 첫 번째 다이어그램에는 다이오드와 저항이 병렬로 있으며 두 번째 다이어그램에는 없습니다.
답변
아이디어는 MOSFET을 켜는 것보다 빨리 끄는 것입니다. MOSFET이 “온”으로 구동되면 게이트 전하는 R915 + R917 = 51.7 옴을 통해 공급됩니다.
꺼지면 게이트 전하가 4.7 옴 저항과 직렬로 다이오드를 통해 흡입됩니다.
게이트를 큰 커패시터 (게이트 소스 커패시턴스와 드레인-게이트 커패시턴스에서 일반적으로 훨씬 더 큰 구성 요소)로 생각할 수 있습니다. 후자는 밀러 효과로 인해 더 큰 영향을 미칩니다. 드레인 게이트 커패시턴스의 효과를 배가하여 훨씬 더 많은 양으로.
FMV111N60ES 의 경우 게이트 전하는 73nC 까지 될 수 있습니다.
이것은 두 MOSFET이 동시에 “온”되는 것을 방지하여 슛 스루 (전력 낭비 및 MOSFET 손상)를 유발하거나 파형을 조금 더 잘 제어하는 데 사용될 수 있습니다.
답변
Spehro의 탁월한 답변 외에도 몇 가지 다른 고려 사항이 있습니다.
회로에서 발생하는 RF 방출은 빠른 스위칭 장치로 증가하지만 게이트 드라이버 한계도 고려해야합니다. 트랜지스터가 유도 성 부하를 구동함에 따라 더 빠른 스위칭은 실제로 특정 회로의 성능을 향상시키지 않습니다. 이 회로는 특정 주파수에서 작동하도록 조정되어 있기 때문에 스위칭 속도가 빠르면 혜택없이 드라이버 비용이 증가 할 수 있습니다.
MOSFET을 GAN-HEMT 트랜지스터로 교체하면 상황이 급격히 변합니다. 더 높은 부하를 처리하고 훨씬 더 빠른 속도로 전환 할 수 있기 때문에 KW 범위 전원의 500kHz 스위칭은 들어 보지 못합니다. 지면 바운스 및 RF 방출이 심각한 설계 문제가 될 수 있습니다.