고장 메커니즘을 연구하고 그것이 열에 의해 어떻게 영향을 받는지 봅시다. 고장 메커니즘이 온도에 따라 더 빨리 발생하기 때문에 GPU가 반드시 더 빨리 고장 나지는 않는다는 것을 기억하는 것이 매우 중요합니다! 상온에서 100 년 동안 지속되는 하위 구성 요소가 뜨거울 경우에만 20 년 동안 지속되지만 다른 하위 구성 요소는 1 년 동안 만 지속되어 열에 영향을받지 않는 경우 제품 수명은 거의 변하지 않습니다. 온도.

Simeon이 말한 자전거 문제는 무시할 것입니다. 이것이 내 전문 지식이 아닙니다.

보드 레벨에서 나는 머리로 ‘파손’할 하나의 주요 구성 요소 인 전해 커패시터를 생각할 수 있습니다. 이러한 커패시터는 건조되며 열이 가해지면 더 빨리 건조된다는 것을 잘 알고 있습니다. (탄탈륨 커패시터는 수명이 짧아 지지만 열에 따라 어떻게 변하는 지 모르겠습니다).

그러나 실리콘은 어떻습니까?

여기에 내가 이해하는 것처럼 실패를 일으킬 수있는 몇 가지가 있습니다. 여기서 주요한 것 중 하나는 전자 이동입니다. 회로에서, 금속 조각을 통과하는 전자는 실제로 물리적으로 원자 주위를 이동할 것입니다. 이것은 너무 나빠서 도체에 틈이 생겨 고장을 일으킬 수 있습니다.

이 이미지는 좋은 설명을 제공합니다 (Tatiana Kozlova, Henny W. Zandbergen; Ni nanobridge의 일렉트로 마이그레이션의 현장 TEM 관찰) :

이 공정은 온도에 따라 기하 급수적으로 증가하므로 온도가 높고 일렉트로 마이그레이션이 고장의 주요 원인 인 경우 칩의 수명이 줄어 듭니다.

또 다른 메커니즘은 회로 내에서 트랜지스터가 게이트 펀치 스루를 겪는 산화 파괴입니다. 또한 온도에 따라 다릅니다. 그러나 여기서 전압은 훨씬 큰 영향을 미칩니다.

도펀트의 드리프트 또는 핫 캐리어 주입으로 인한 VT 시프트도 있습니다. 온도에 따라 도펀트 드리프트가 증가합니다 (그러나 매우 느린 프로세스이므로 디지털 회로의 경우에는 문제가되지 않습니다). 나는 핫 캐리어 주입의 온도 의존성에 대해 확신하지 못하지만 여기서 전압이 훨씬 더 중요한 요소라고 생각합니다.

그러나 중요한 질문이 있습니다 : 이것이 수명을 얼마나 줄입니까? 이것을 알고 있으면 그래픽 카드를 항상 시원하게 유지해야합니까? 디자인 단계에서 오류가 발생하지 않는 한 내 추측은 아니오입니다. 회로는 최악의 상황을 염두에두고 설계되었으며 제조업체의 정격 수명 한계에 도달 할 경우 회로가 지속되도록 설계되었습니다. 사람들이 오버 클럭킹 회로의 경우 : 회로를 안정적으로 유지하기 위해 자주 사용하는 전압의 증가 (회로 속도를 약간 높일 수 있음)는 온도 자체보다 훨씬 더 해를 끼칩니다. 또한 전압이 증가하면 전류가 증가하여 일렉트로 마이그레이션 문제가 크게 가속화됩니다.

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